设计合成新颖结构的卟啉衍生物一直是卟啉化学的重要研究领域之一,具有重要的理论和现实意义。本项目拟用噻咯环替代常规卟啉中的吡咯环来合成新型硅杂卟啉,这是此类分子首次合成尝试。噻咯环独特的电子结构、低的LUMO水平、强的电子接受能力,将使硅杂卟啉表现出不同于已有核修饰卟啉的性质。同时,噻咯环1,1位两个取代基的位阻因素,将在一定程度上削弱卟啉固态时因分子间π-π堆积作用而引起的荧光自淬灭,提高其荧光量子效率,拓宽其在材料领域的应用范围;目标分子同时又是一类具有大芳香取代基的噻咯衍生物,有可能作为发光材料、新型电子传输材料在电致发光器件、光电二极管中得到应用。
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数据更新时间:2023-05-31
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