高迁移率各向异性有机场效应管的设计和制备

基本信息
批准号:60676001
项目类别:面上项目
资助金额:30.00
负责人:贾锐
学科分类:
依托单位:中国科学院微电子研究所
批准年份:2006
结题年份:2009
起止时间:2007-01-01 - 2009-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:宋希明,牛洁斌,韩敬东,商立伟,李志刚,王琴
关键词:
场效应晶体管高迁移率各向异性有机器件
结项摘要

研究有机半导体材料在图形化介质层和有机半导体材料上的同质或异质外延生长情况,建立有机半导体薄膜在不同衬底上的生长动力学模型,完善有机半导体材料的成膜理论。将薄膜生长理论与传统半导体加工工艺相结合,探索一套优化可控的高迁移率各向异性有机场效应管的制备工艺。同时,探索纳米加工技术在有机场效应管制备工艺中的应用,研究不同的界面和接触情况对其性能的影响,并通过材料表征手段,研究有机半导体薄膜的材料结构特性与器件性能之间的关系,进一步建立理论模型,完善有机场效应管的导电机理研究,为低成本、柔性、低重量、便携的电子产品早日进入国人生活贡献力量。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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