多元CdZnTe电容栅探测器模拟设计及制备工艺研究

基本信息
批准号:10575069
项目类别:面上项目
资助金额:34.00
负责人:桑文斌
学科分类:
依托单位:上海大学
批准年份:2005
结题年份:2008
起止时间:2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:钱永彪,滕建勇,闵嘉华,樊建荣,刘洪涛,张奇,詹峰,朱正辉,秦凯丰
关键词:
电容栅探测器碲锌镉并行探测器器件模拟
结项摘要

新一代化合物半导体碲锌镉(CdZnTe)核探测器在医学成像、核废料监控、机场与港口安全检测等领域应用前景广阔,对于我国国防、国民经济的发展和科技攻关有着重要意义。本项目将研究CdZnTe电容栅探测器模拟设计及制备工艺。采用有限元(FE)和蒙特卡罗(Monte Carlo)方法模拟分析电容栅探测器的几何结构因素对器件性能的影响,充分了解它们的工作原理,实现对器件结构的优化设计;研究解决CdZnTe电容栅器件的制备工艺。在此基础上,研究将多个单元电容栅器件组合成并行探测器,研究并解决并行探测器的信号读出系统和器件封装工艺。评价与比较单元与多元探测器的能谱特性,探究两者之间的内在联系。最终研制成功具有我国自主知识产权的2×2 并行电容栅探测器,并将应用于高灵敏度便携式核辐射探测仪系统。为我国CdZnTe新型探测仪器的发展打下基础,并使这一领域的研究能迅速跻身于世界行列。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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