晶界扩散导致晶界迁移的机制及应用前景探索

通过大量实验证实，二氟化硼（BF2（+））注入硅栅F在硅栅中特殊的迁移特性是与BF2注入特性、多晶硅的结构特点及F本身的特殊性质密切相关的。F在多晶硅栅中的迁移机制为（1）F在多晶硅栅中的扩散，即F在晶粒内的扩散、在晶粒间界的扩散、在SiO2中的扩散和在Si中的扩散；（2）F在多晶硅栅中的发射和吸收，即在晶粒与粒间界之间的发射与吸收、注入损伤区对F的吸收和发射、F在Poly-Si/SiO2界面的吸收及F在SiO2/Si 界面的吸收，在分析F（+）、BF2（+）注入F在多晶硅栅中迁移特性的基础上，分别建立了F在多晶硅栅中的迁移方程，采用有限差分法模拟了F在多晶硅栅中的分布，模拟结果与SIMS分析结果相符。用C语言编制了BF2（+）和F（+）注入多晶硅栅F迁移特性的模拟软件。