单分散纳米晶及其阵列体系在气敏领域应用探索研究

基本信息
批准号:50772056
项目类别:面上项目
资助金额:31.00
负责人:王训
学科分类:
依托单位:清华大学
批准年份:2007
结题年份:2010
起止时间:2008-01-01 - 2010-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:刘军枫,梁鑫,霍子扬,胡适,庄京
关键词:
自组装单分散纳米晶气体传感器合成方法学
结项摘要

气敏材料是影响气体传感器性能的决定性因素,单分散纳米晶及其超晶格阵列体系在电学输运、自组装等方面的特点使其可作为新型气敏材料,在气体传感器领域有重要的应用前景。申请人拟围绕氧化物半导体单分散纳米晶控制合成、组装及其在气敏领域的应用展开工作,在优化半导体氧化物单分散纳米晶合成工艺条件的基础上,通过对不同形状、不同尺寸的单分散SnO2、ZnO、Fe2O3等氧化物半导体纳米晶进行组装形成阵列,或将氧化物半导体纳米晶与单分散贵金属金、银、铂等纳米晶组成二元超晶格,利用单分散纳米晶超晶格阵列体系在成膜特性、原位掺杂改性上的优势,旨在探讨气敏性能的尺寸、晶面(形状)相关性,从微观结构的角度出发,深入阐明气体传感过程的微观机制及影响因素;在充分发挥纳米晶自身性能的基础上,开发高灵敏度、高选择性、高稳定性的优质气体传感器。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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