空间X射线和极紫外CCD性能及电离损伤的实验和仿真研究

基本信息
批准号:10979065
项目类别:联合基金项目
资助金额:36.00
负责人:彭吉龙
学科分类:
依托单位:中国科学院国家空间科学中心
批准年份:2009
结题年份:2012
起止时间:2010-01-01 - 2012-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:荆涛,林强,刘玉敏,徐子欢,卢文娟,贺信,王东林,王冠军,李奔驰
关键词:
X射线和极紫外CCD电离损伤仿真
结项摘要

X射线和极紫外观测是空间物理探测和天文观测的重要内容,是研究太阳活动现象和进行天体观测的重要手段。CCD是应用最广泛的成像探测器,在采用入射窗减薄、背入射结构等工艺后,可以直接对X射线和极紫外成像,逐渐成为空间短波成像仪器的首选。短波敏感CCD在对X射线和极紫外辐射成像的同时,本身的电场和结构也会受到这些光子的影响,严重时可能造成辐照损伤。本课题在研究利用现有的同步辐射条件测量CCD量子效率、增益、转移效率等参数的方法,并进行实验分析和验证的基础上,基于新的极紫外辐射同Si相互作用的研究成果,着重研究X射线、极紫外辐射和CCD的相互作用及可能造成的电离损伤,利用实验数据对空间应用X射线、极紫外CCD的各项参数及对短波入射光的电离损伤进行仿真研究,建立理论模型和仿真软件,为今后的实验和应用提供指导,为CCD的空间应用提供选型和设计依据。

项目摘要

本课题研究空间X射线和极紫外CCD的结构,性能及其测试方法,对可能的电离损伤进行实验和仿真研究,为今后空间仪器的CCD选型和应用提供参考。 取得的成果主要包括:(1)研制了低噪声CCD控制器;(2)研制了CCD测试、数据处理软件;(3)建立了完善的X射线和极紫外CCD测试方法,完成典型背入射型CCD的测试和性能分析;(4)研究了X射线和极紫外辐射对CCD结构和性能的影响,分析建立了电离损伤界面态产生模型,详细说明了辐射对CCD内部Si,SiO2及Si-SiO2界面的影响,仿真分析了CCD内部杂质对光子吸收和光电效应的影响。

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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