内透明集电区IGBT——新一类IGBT

研究本项目首次提出的新结构IGBT-'内透明集电区IGBT'。预期目标是得到一类独立于现有两大类IGBT-'非透明集电区IGBT'和'透明集电区IGBT'之外的新一类更优越的IGBT，它兼有前者易于规模生产和后者良好器件性能的优点；而避免了前者器件性能有严重缺陷和后者规模生产难度极高的缺点。'内透明集电区IGBT'的结构特征是在非透明集电区IGBT的集电区中距集电结很近的地方设置一个极高过剩载流子复合速率的内部复合中心层，起到高复合欧姆接触的物理作用，从而使它转变为'透明集电区IGBT'的工作机理。它不需高能粒子辐照，避免了前者的性能缺陷；它不需超薄片操作，避免了后者的制造难度。可利用高剂量氢或氦离子注入、退火形成的纳米空腔作为内部高复合中心层。仿真已证明该新结构上述工作机理的成立。本研究有希望引起国际IGBT 制造技术的一次大变革。对于建立有自己知识产权的我国IGBT产业有重要意义。