SiO2/Si光波导紫外激光直写技术

基本信息
批准号:69377012
项目类别:面上项目
资助金额:6.00
负责人:崔晓明
学科分类:
依托单位:北京大学
批准年份:1993
结题年份:1996
起止时间:1994-01-01 - 1996-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:林祥芝,杨葭荪,阎宏,安宏林,张昀,李学平
关键词:
光电子器件紫外激光直写光波导
结项摘要

首次发现载氢光纤紫外激光曝光后出现1.39um新吸收带,据此提出关于光敏性机制的新见解,并提出新的光纤处理技术使266nm波长处的光敏效应达1×10(-4),证实相位光栅齿形对衍射场分布有最重要的影响,定量分析和测量对位相模板研制有重要意义;应用相位模板紫外曝光方法,已获得100%反射率,带宽<0.5nm的光纤光栅反射滤波器,达到国际先进水平,发展了光纤光栅强度调制的自动优化CAD软件,这一创新工作渴望将旁瓣压至30dB以下;应用光纤光栅构成窄带,高效透射滤波器,在原理上允许进行宽带调谐;应用光纤光栅已构成新型的Er光纤激光器,该光纤激光腔已展示了非常好的激射特性。本科题已全面、超额完成原订的各项研究计划。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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