基于AAO模板喷滴法制备PZT铁电纳米点阵列的研究

基本信息
批准号:50572093
项目类别:面上项目
资助金额:27.00
负责人:翁文剑
学科分类:
依托单位:浙江大学
批准年份:2005
结题年份:2008
起止时间:2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:宋晨路,程逵,罗鸣,曹延明,王志成
关键词:
纳米点储存器铁电PZT阵列
结项摘要

本申请依据PZT纳米点阵列在铁电存储器中的重要性,采用完全不同于常规AAO模板的运用方式,有机地结合溶胶-凝胶法特点,原创性地提出"基于AAO模板喷滴法"制备纳米点阵列,即在一定压力下让溶胶穿过AAO模板孔,滴在基板上,首先形成凝胶点以保持纳米点的尺度和阵列形状,再经热处理,最终形成与AAO模板孔结构相对应的、点尺度为几十纳米的PZT纳米点阵列。. 研究内容为:(1)PZT溶胶成胶特性与喷滴技术过程的相协调性的研究;(2)硅基板上形成PZT纳米点阵列规律和表征的研究;(3)PZT纳米点阵列铁电性能测量的研究。. 通过对上述的研究,探索出"基于AAO模板喷滴法"形成PZT纳米点阵列基本规律,探明PZT纳米点阵列参数(颗粒大小和结晶度)与制备条件的关系,为最终获得高储存密度FeRAM器件提供必要的前期工作基础。同时该制备技术还具有在不同基板上形成不同材料体系的纳米点阵列。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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