双量子阱介观结构中量子相干输运性质的研究

利用分子束外延生长和微米级光刻技术制备出砷化镓双量子阱介观结构样品，在极低温和强磁场下研究样品的量子输运特性。观测到样品的电导随磁场的变化出现了量子相干振荡，振荡周期近似为h/e.s.该结果与A-B效应的理论值一致。实验上证明了磁场势对沿平面运动的电子波的作用。我们还观测到，双量子阱 之间的势垒层愈薄，其样品的电导相干振荡的幅度愈大，它可能与两个量子阱之间存在的耦合效应有关。此外，还研究了磁遂穿振荡现象，提供一种研究r-x耦合强度的实验方法。本工作难度较大。利用现有的设备，克服工艺上，测试中一个个难关，成功地完成了预定的目标，对于今后进一步探索量子电子器件作出了有益的贡献。