荷能重离子径迹刻蚀法制备硅基膜纳米孔道

纳米孔道技术诞生于上世纪九十年代末期，在生物分子检测与分离、核酸分子超高速测序、纳米线（针）和电极制备等方面具有重要的应用价值，已成为纳米及相关应用学科中非常活跃的前沿研究领域。在目前仅有的四类制备纳米级孔道的方法中，重离子径迹刻蚀方法制备具有制作过程简单、成本低、结构稳定以及利于制备纳米孔道阵列等特点。本申请结合国际上纳米孔道技术的最新发展趋势和已有工作基础，基于我们实验室串列加速器的荷能重离子辐照，在硅基膜SiO2/Si、高聚物/Si等材料上，通过后续的化学刻蚀过程以及微弱电流监测和阻止溶液控制，制备出几个纳米的纳米孔道；实验研究孔道大小、形状及均匀性与辐照离子参数及化学刻蚀条件的关系，实现硅基膜纳米孔道的可控化制备；所制备的纳米孔道具有对生物分子其大小等进行鉴别的能力。本项目将拓宽离子束的应用领域并提高其应用水平，追赶上国际上这项高新技术的发展步伐并制备出具有我们创新特色的纳米孔道。