GaN基异质结构中二维电子气的自旋性质研究

属于高能带阶跃、强极化半导体低维体系的GaN基异质结构不仅在高频、高温、高功率电子器件领域具有重大应用，而且由于它有很长的自旋驰豫时间和很高的居里温度，在自旋晶体管方面也有很好的应用前景。本申请项目以发展GaN基半导体自旋晶体管器件、探索GaN基异质结构中二维电子气(2DEG)自旋规律为目标，以强磁场、超低温磁阻测量为主要手段，开展GaN基异质结构中2DEG的自旋性质研究，主要内容包括：高质量GaN基异质结构材料的MOCVD生长、2DEG自旋注入、2DEG的自旋分裂和自旋的各向异性、非平衡态下2DEG的自旋性质和GaN基自旋器件的部分研制工艺等。本项目申请人及其所在的课题组近年来一直从事GaN基异质结构和2DEG相关物性研究，取得了一批富有特色的研究成果并积累了经验。本项目的研究目标和内容均处于当前国际上半导体低维物理和宽禁带半导体材料、器件研究的前沿领域。