超导托卡马克第一壁锂硅复合射频壁处理新工艺研究
基本信息
批准号：10205016
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：13.00
负责人：陈俊凌
学科分类：
依托单位：中国科学院合肥物质科学研究院
批准年份：2002
结题年份：2004
起止时间：2003-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：罗南昌,沈克明,程绍玉,徐金洲,欧琼荣
关键词：
超导托卡马克射频锂硅复合壁处理
结项摘要
先.进.壁.处.理.模.式.及.其.工.艺.研.究.属.聚.变.前.沿.研.究领域.。.本.申.请.根.?涂.层.成.份.和.结.构.设.计.理.论.，提.出.利.用.等.离.子.体.辅.助.化.学.气.相.?积.方.法.，.在ＨＴ－７.超.导.托.卡.马.克.射.频.硅.化.过.程.中.引.入.锂.蒸.汽实.现.原.位.射.频.锂.硅.复.合.壁.处.理.，.该.种.功.能.涂.层不.仅.具.有
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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