离子注入制备多铁性过渡金属化合物CdMeS

探索用离子注入技术制备过渡金属掺杂的II-VI族化合物CdMeS（Me＝过渡金属），利用离子束技术可进行多元素掺杂、无交叉污染的优点，首先在CdS中注入过渡金属（Cr, Mn, Fe），进而补充注入适当硫系元素，形成多铁性（multiferroic）三元化合物CdMeS。用离子束背散射/沟道能谱技术测量CdMeS的缺陷分布及掺杂原子的晶格定位，用超导量子干涉仪(SQUID)和铁电特性测试仪测量其磁性和铁电性。优化离子注入及退火条件，系统研究替位杂质浓度、分布等对材料性能的影响，寻找铁电、铁磁二性共存的区域。用加速器－电镜联机装置对离子注入微结构形成的动态过程进行原位电镜观测，深入研究多铁性形成的微观机制和相关物理规律，为离子束技术制备多比特(multibit)存储器件提供科学依据。