基于分子模拟技术的半导体可饱和吸收体调Q微观机理研究及其优化设计

半导体可饱和吸收体被动调Q开关具有光化学性质和可饱和吸收稳定、热导性好、无退化现象及损伤阈值高等优点；半导体可饱和吸收镜(SESAM)更是具有波长可调、恢复时间和调制深度等参数可以控制的优点，其实现的调Q脉冲宽度最短，是未来固体激光器被动调Q的希望。而半导体可饱和吸收体材料组份、结构复杂，存在多种线性、非线性吸收机制，因此其调Q性能的优化设计非常重要。本项目拟利用分子模拟方法研究其调Q微观机理及性能指标的变化规律，掌握在材料制作过程中控制其非线性损耗、线性损耗、恢复时间和调制深度等调Q参数的方法；通过速率方程理论优化半导体可饱和吸收体和SESAM被动调Q激光器的关键性能参数，获取其调Q效果达到最佳时的性能参数；模拟材料的组份、结构、缺陷及其生长条件，通过分子设计探索新半导体材料的开发途径，为调Q性能最佳的半导体可饱和吸收体和SESAM新材料的开发设计提供规律性依据，填补国内外研究的空白。