半导体衬底上薄膜中量子阱态对表面吸附的影响

基本信息
批准号:60576060
项目类别:面上项目
资助金额:28.00
负责人:马旭村
学科分类:
依托单位:中国科学院物理研究所
批准年份:2005
结题年份:2008
起止时间:2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:齐云,姜鹏,季帅华,付英双,安康
关键词:
低温扫描隧道显微镜/谱纳米催化量子阱态表面吸附
结项摘要

半导体或绝缘体的衬底上两维半导体和金属薄膜中存在量子阱态,它的形成会导致费米面附近电子态密度的重新分布和变化,从而导致材料奇特的物理和化学性质。气体分子在表面的吸附与其电子结构尤其与费米面附近的电子态密度相关。本项目提出利用两维薄膜中的量子阱态来调节和影响其表面反应性、表面吸附这一新颖想法,通过对薄膜厚度的精确控制和变化来调控薄膜的电子结构,从而达到对分子吸附行为的控制。同时利用低温扫描隧道显微镜/谱研究气体分子在表面的吸附和脱附动力学过程、分子的吸附状态和振动形式,旨在建立纳米体系中的量子尺寸效应对表面吸附的影响。这项研究在发展新的纳米催化材料、实现高效催化和降低环境污染等方面有重要意义。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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