金属/锗硅固相反应及其与杂质互作用研究

根据纳米CMOS器件源漏栅新结构未来发展趋势，针对超低接触电阻源漏和全硅化物化金属栅对先进金属硅化物薄膜材料与工艺的需求，本项目拟研究金属/SiGe固相反应规律及其与杂质互作用机理。项目拟研究固相反应形成锗硅化物薄膜工艺以及杂质对锗硅化反应的影响，了解锗硅化反应中原子扩散、杂质分凝和组分调控等对锗硅化物/SiGe接触电阻率和（锗）硅化物功函数调节作用，探索形成超低接触电阻率金半接触新体系及其工艺，研究全（锗）硅化物化金属栅新材料、新结构和新工艺，揭示多元固相反应与杂质互作用机理、金半接触界面势垒调控和电流输运机理、新型多元硅化物功函数调控机理，为先进（锗）硅化物在纳米CMOS器件新型源漏栅结构与工艺中应用打下基础。