探索出在国内现有条件下,研制稀土硅化物的有效途径:先测试单晶硅的沟道方位,再离线进行沟道注入;总结出最佳实验条件:如注入角度、衬底温度、离子能量、剂量、退火条件等。用背散射沟道、X衍射、透射电镜、扫描电镜、能散谱、光电子谱等测试手段,分析了生成物的结构、界面、晶相、结晶品质和应变。结果表明,沟道离子束合成法比其它方法有很多优势,已研制出多种高品质的二元、三元稀土硅化物,属国际领先水平。物理性能测试说明生成物具有热稳定性和低电阻率。研究了稀土离子进入晶体沟道的运动规律和沟道离子合成法物理机制,发现用异相二元硅化物生成新相三元硅化物的途径并总结出理论根据。在国内外刊物上发表十二篇。
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数据更新时间:2023-05-31
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