无导带势垒尖峰的InGaAs/InP DHBT中载流子输运机理研究

根据超高速InP基HBT的发展需求和国际前沿发展趋势，围绕解决InGaAs/InP基DHBT中频率特性与击穿电压的矛盾问题，主要进行无导带尖峰的InGaAs/InP DHBT能带工程、超高频、超场强下载流子输运机理、以及复杂能带结构中频率特性与击穿特性的矛盾问题进行深入系统的研究，从载流子输运机理以及碰撞电离理论出发，对含InGaAsP过渡层的复合式集电区结构进行深入的分析与优化，深入认识发射极、集电极能带结构对载流子过冲效应的影响，以及集电极setback层、过渡层和掺杂层对调节载流子过冲效应所起的作用，通过利用能带工程和过冲效应，解决InGaAs/InP DHBT中频率特性和击穿特性的矛盾问题。通过本项目的研究，形成一套高端毫米波器件结构设计流程，研制成功ft>200 GHz,击穿电压大于6 V的InP DHBT，推动我国超高频、超高速器件和电路的发展。