微波器件应用高温超导大面积双面铊系薄膜的研制
基本信息
批准号：50202017
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：10.00
负责人：胡芳仁
学科分类：
依托单位：中国科学院物理研究所
批准年份：2002
结题年份：2003
起止时间：2003-01-01 - 2003-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：李林,陈莺飞,王瑞兰,方兰,何明
关键词：
高温超导铊膜高超导临界温度低表面微波电阻
结项摘要
为无源滤波器应用的高Tco低微波表面电阻的铊系大面积、双面薄膜的研制。解决的关键问题是表面微波电阻Rs要达到国际最低指标。大面积的薄膜成分与厚度要均匀。铊系（T1-2212）薄膜的最高Tco要争取达到110K，优质的T1-2223薄膜争取最高Tco可以达到125K，这种薄膜可以制备在100K下运行的微波器件。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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