Si1-xGex/Si 非对称多量子阱及超晶格电光效应人工增强改性及其应用

采用人工介观改性手段，突破Si由于非极性立方反演对称结构造成的Pockels效应理论值为零的固有局限，制备具有强的电光效应的新型Si基材料，对Si基光电子学的发展有着重要的意义。.本课题在理论研究Si1-xGex/Si非对称多量子阱的Pockels效应的增强效果基础上，优化设计出具有强的电光效应的Si基材料；采用超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）方法，利用准分子激光辅助生长和新型氢离子源表面处理技术，改善高Ge组分的SiGe/Si非对称多量子阱和超晶格材料生长质量；利用赝衬底或掺C技术，突破临界厚度的限制，生长出实用化的厚层SiGe(C)/Si非对称多量子阱和超晶格材料，从实验上验证其对Si基量子限制Pockels效应的增强作用，为研制出高速调制的光调制器和快速的光开关矩阵提供坚实的材料基础，同时将推动硅基集成光学研究的深入发展。