一种硅酸镓镧结构新晶体Ca3TaAl3Si2O14的生长与压电性能研究

已报道的La3Ga5SiO14（LGS）及其同构体单晶由于Ga2O3原料价格高而使得晶体成本居高不下，阻碍了其广泛应用，我们的前期研究发现并生长了一种Ca3TaAl3Si2O14（CTAS）晶体，采用Al3+全部替代了Ga3+，使晶体成本大幅度下降，这使该晶体具有广泛的应用前景。该晶体研制成功将是LGS系列单晶研究工作的重大突破，具有很高的实际应用价值，同时对于同类含Al3+的同构体晶体的研究工作也具有启发作用。本课题拟充分借鉴LGS及其同构体单晶生长技术和经验，采用纯熔体提拉法开展CTAS晶体生长实验，从籽晶选择、组分配比、生长习性、温场条件、生长工艺等各个方面开展系统研究，克服熔体粘度较高对晶体生长的影响，预期得到直径达30mm、无开裂和包裹体等宏观缺陷的单晶体。测试晶体的组分、结构、透过谱等基本性质；并着重表征晶体的电弹常数和压电性能，为其用作压电器件积累基础数据。