室温下向半导体内的有效自旋极化注入的研究
基本信息
批准号：60606021
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：8.00
负责人：邓宁
学科分类：
依托单位：清华大学
批准年份：2006
结题年份：2007
起止时间：2007-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：田立林,邹建平,张磊,刘华瑞,任敏,董浩
关键词：
自旋输运磁阻超晶格自旋极化Si/SiGe异质结
结项摘要
室温下向非磁半导体的有效自旋极化注入是实现半导体自旋电子器件的首要问题。本项目以提高向半导体内的自旋极化注入效率为目标，重点研究：1）铁磁金属（FM）/半导体（SC）超晶格向半导体内的自旋极化注入，该结构同时具有铁磁金属高居里温度和稀磁半导体没有界面电阻失配的优点；2）利用Si/SiGe异质结势垒可控性好的特点，研究界面势垒对自旋极化电子的选择作用机制，找出利用界面势垒提高自旋极化注入效率的准则；
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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