当具有层间弱键结合特征的纳米层状Ti3SiC2弥散分布于SiSiC基体中,Ti3SiC2在受力时可能会发生弱界面滑移,钉扎、偏转及桥接基体裂纹,可望提高液硅渗透C/SiC的韧性。本项目拟采用浆料浸渗结合液硅渗透法在多孔C/SiC内原位生成Ti3SiC2和SiC,研究Ti3SiC2改性C/SiC的浆料浸渗方法、Ti3SiC2和SiC的生成/生长动力学以及Ti3SiC2弥散相对C/SiC性能的影响。基于浆料浸渗和液硅渗透法,探索制备新型Ti3SiC2改性C/SiC复合材料的新方法,揭示Ti3SiC2的生成/生长过程和微结构控制机理,从基体弱界面设计的角度阐明C/SiC复合材料的增韧机理,从而丰富C/SiC复合材料的强韧性理论。本研究的成果有助于拓展Ti3SiC2的制备途径及用途,并将完善C/SiC复合材料体系;与CVI C/SiC相比,Ti3SiC2改性C/SiC的制备周期可缩短约1/3。
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数据更新时间:2023-05-31
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