硅基CMOS太赫兹波三维图像传感器研究

基本信息
批准号:61874107
项目类别:面上项目
资助金额:63.00
负责人:刘力源
学科分类:
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年份:2018
结题年份:2022
起止时间:2019-01-01 - 2022-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:窦润江,方桐,马松,姚春赫
关键词:
动态电路三维成像太赫兹成像
结项摘要

Terahertz (THz) 3-Dimension (3-D) imaging is a promising evolution for the next generation CMOS THz image sensors. It will be widely applied in biomedical test, aeronautics material analysis, 3-D printing and so on. With the development of CMOS technology, CMOS THz 2-D image sensors are already available. This project is going to design a fully-integrated CMOS image sensor with THz 3-D imaging capability. We are going to explore a new 3-D THz imaging method based on amplitude modulated continuous wave THz radiation. We also study novel 3-D THz imaging sensor architecture, active THz detection pixel as well as dynamic circuit with low power potential. The aim of this project is to implement a complete 25fps imaging chip with 64×64 pixels array and THz 3-D imaging capability using standard CMOS technology.

针对新型CMOS太赫兹波三维成像器件的迫切需求及其关键科学技术问题,本项目拟开展新型硅基CMOS太赫兹波三维图像传感器芯片的应用基础研究。本项目探索和研究太赫兹波三维成像的新方法和成像芯片架构、太赫兹波探测像素新结构、低功耗动态放大电路和三维成像系统设计方法等关键科学技术问题。突破与CMOS太赫兹波图像传感器相兼容的三维成像方法、CMOS太赫兹波三维成像芯片架构,具备三维成像探测能力的新型像素等关键问题,摸索出一整套CMOS太赫兹波三维成像图像传感器芯片的设计方法,设计出原型芯片,促进我国下一代CMOS太赫兹波图像传感器的发展。

项目摘要

太赫兹波成像可广泛应用于无损检测、生物医学、材料分析等领域具有广阔的应用前景。小型化的面阵太赫兹探测器是太赫兹成像中急需的关键核心芯片。伴随着探测方法和太赫兹波探测器件技术的进步,太赫兹波成像逐步向三维成像方向发展。基于CMOS工艺的太赫兹波探测和成像芯片具有大规模集成优势,探测器、读出电路以及处理电路都可以集成在一块芯片上,因此获得广泛的关注。本项目针对三维CMOS太赫兹波成像器件的迫切需求以及待解决的关键科学技术问题,提出了基于CMOS自混频太赫兹探测器的理论模型、像素结构、读出电路和系统架构。项目设计了面向太赫兹三维成像的64×64阵列;设计了128×128大面阵太赫兹波图像传感器。项目已完成的阵列成像芯片在太赫兹成像、无损检测以及太赫兹波光源观测等方面具有重要的应用价值。项目阶段发表论文12篇,申请国家发明专利7项,在国内外会议上做邀请报告8次。

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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