半导体纳米结构的量子相干性和量子信息学研究

本课题拟对半导体纳米结构的量子相干性进行系统的理论研究，阐明影响系统的量子退相干几率的各种物理因素，解释实验所发现的量子退相干几率的低温饱和现象，研究这些物理因素对半导体纳米结构在量子信息处理过程的影响，探索消除这些影响的可能途径。研究中将注意探索从量子到经典过渡的特征。这对量子信息学的研究和固体物理的发展均有意义。