应力耦合扩散理论及其在电子材料中的应用

本项目在理论分析、第一原理模拟和实验研究的基础上发展应力场作用下固体内部和表面扩散的连续统模型。特别侧重于非静水应力对扩散系统和化学势的影响，探索自由边界问题的算法。结果将系统应用于外延量子结构的自组织生长、硅表面氧化等新型光电子器件工艺中关键过程的分析和模拟，为器件形态的控制和相关工艺参数的选取提供理论依据。