应力耦合扩散理论及其在电子材料中的应用
基本信息
批准号：10172079
项目类别：面上项目
资助金额：22.00
负责人：何陵辉
学科分类：
依托单位：中国科学技术大学
批准年份：2001
结题年份：2004
起止时间：2002-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：景晓宁,李华,尹鹿,蒋敬,倪勇,阎琨,雷冬
关键词：
应力耦合扩散量子结构硅技术
结项摘要
本项目在理论分析、第一原理模拟和实验研究的基础上发展应力场作用下固体内部和表面扩散的连续统模型。特别侧重于非静水应力对扩散系统和化学势的影响，探索自由边界问题的算法。结果将系统应用于外延量子结构的自组织生长、硅表面氧化等新型光电子器件工艺中关键过程的分析和模拟，为器件形态的控制和相关工艺参数的选取提供理论依据。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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