原子层淀积新型Cu互连扩散阻挡层研究

随着集成电路的尺寸不断缩小，需要采用Cu互连技术。在器件尺寸进入90纳米节点后，需要制备厚度小于10纳米、电阻率低、热稳定性好、台阶覆盖特性好、和低介电常数介质以及Cu都有良好黏附特性的超薄扩散阻挡层。本项目拟研究用新型薄膜淀积方法－原子层淀积方法制备扩散阻挡层。用原子层淀积方法制备氮化物扩散阻挡层的研究还刚刚起步，深入研究用原子层淀积技术制备Cu互连中的新型扩散阻挡层材料中的工艺过程对薄膜材料特性及电学特性的影响，研究在不同Low K材料表面生长的ALD扩散阻挡层的特性和工艺，探索ALD生长薄膜过程中的材料表面化学反应机制，获得能在VLSI工艺中和Low K工艺集成的ALD生长扩散阻挡层的新扩散阻挡层材料。