半导体低维结构电荷和自旋输运中无序及库仑相互作用的关联影响

半导体自旋电子学研究的重要内容之一是研究低维半导体结构中的电荷、自旋输运。同时，电荷、自旋输运本身也是一个被长期探究、具有重要基础科学意义的问题。在过去的几十年间，人们取得了长足的进展，对其中的物理获得了一些深刻的理解，发现了一些新奇的物理效应。然而，多年来，人们仍然会不时碰到一些目前理论尚无法解释的实验现象，个别问题甚至可以追溯到数十年前的实验发现。这些至今未解的实验现象给理论工作者提出了严峻的挑战。通过分析这些实验现象，根据实验工作者和我们过去的经验，我们认为这些问题和具体材料的能带结构无根本关系，而和半导体低维结构中电荷和自旋输运中无序杂质散射和电子间库仑相互作用的关联有关。库仑相互作用不仅仅只起屏蔽效应。因此，我们认为十分有必要，在前人工作的基础上，对半导体低维结构电荷和自旋输运中无序及库仑相互作用的关联影响开展进一步、更加深入的研究。

利用微扰的费曼图方法研究了无序杂质散射和载流子间的库伦相互作用。把无序散射和库伦相互作用放在同等的地位上进行处理会产生新的结果。我们理论分析了几个基于不同材料的量子结构中的磁光谱实验。有的实验结果和理论计算结果相符合，可以获得比较满意的物理理解。有的实验结果和则已有的理论不符，需要进一步的深入研究。