分子束外延生长重费米子超结构薄膜的原位角分辨光电子能谱研究

The recent discovery of the quantum criticality controlled by the dimensionality tuning in the heary fermion superlattics has excited great interest due to its significiance in condensed matter physics and the potential application. However, there are great challenges to further understand the basis of such complex quantum phase transition experimentally. On one hand, the research is limited by the synthesis of the high quality artifical superlattice; On the other hand, there is particularly lack of a tool to directly probe the electronic structure of this low dimensional artifical material. We propose to grow epitaxically a series of (CeIn3)m/(LaIn3)n superlattices with different (m, n), in that the quantum criticality can be controlled by tuning the thickness of CeIn3. Taking advantage of our unique integrated MBE/ARPES system, we can in situ investigate the detailed change in the k-dependent electronic structure upon the quantum phase transition. In this way, we can explicitly distinguish the physical origin of this quantum phase transition tuned by dimensionality in heavy fermion, and thus probaly prepare the ground for its potentail application in future.

最近在重费米子超结构薄膜中发现的由空间维度改变所导致的量子临界现象具有十分重要科学研究和可能的应用价值。但对于进一步从电子结构等微观机理层面理解这类强关联电子体系中的复杂量子相变问题在实验上还面临较大的挑战。这一方面受制于高质量的人工超结构薄膜样品的获得，更主要的还是缺乏必要的直接研究此类低维材料电子结构的实验手段。本项目拟发挥MBE/ARPES集成实验系统的原位生长和测量的独特优势，通过对(CeIn3)m/(LaIn3)n这一典型的重费米子超结构薄膜的设计与生长，从空间维度上调控其中量子相变发生，并同时原位考察相应的电子结构精细变化。通过这种方法，可以直观地辨明其中量子相变物理根源等相关最基本科学问题，从而可以为推动重费米子人工超结构薄膜中由空间维度效应导致的量子临界现象的应用奠定关键科学技术基础。

最近在重费米子超结构薄膜中发现的由空间维度改变所导致的量子临界现象具有十分重要科学研究和可能的应用价值。但对于进一步从电子结构等微观机理层面理解这类强关联电子体系中的复杂量子相变问题在实验上还面临较大的挑战。这一方面受制于高质量的人工超结构薄膜样品的获得，更主要的还是缺乏必要的直接研究此类低维材料电子结构的实验手段。本项目利用MBE/ARPES 集成实验系统的原位生长和测量的独特优势，通过对CeIn3这一典型的重费米子超结构薄膜的设计与生长，从空间维度上调控其中量子相变发生，并通过对具有类似CeIn3/LaIn3超结构薄膜中空间维度调控的单晶样品CeCoIn5和Ce2PdIn8电子结构的对比实验系统研究了重费米子体系中巡游电子和f局域电子之间杂化随温度、由空间维度等参数调制的影响。通过这种方法，可以直观地辨明其中量子相变物理根源等相关最基本科学问题，从而可以为推动重费米子人工超结构薄膜中由空间维度效应导致的量子临界现象的应用奠定关键科学技术基础。