过渡金属掺杂的硅团簇的激光解离和光电子能谱研究

过渡金属掺杂的半导体团簇，在纳米材料、微电子技术等领域中有很重要的应用前景。在半导体团簇中加入过渡金属原子，不仅仅有助于稳定其笼状结构，更重要的是掺杂能改变其性质，获得一些特殊的材料。我们计划通过激光溅射方式产生金属掺杂的硅团簇，用质谱、激光光解离、光电子能谱等手段来研究它们的结构和性质。通过激光解离过程以及光电子能谱随团簇尺寸的变化，结合量子化学计算，我们可以得知其结构和性质的尺寸效应，从而进一步了解这些硅团簇在何种尺寸下、需要何种金属掺杂才能成为笼状，并找到其中超常稳定的团簇。这些研究将能帮助人们认识金属与硅、锗等半导体元素的相互作用和成键规律，也将为制备半导体纳米管以及团簇组装的新材料提供参考。