高铟组分InGaN/InGaN P-N结制备及相关物理问题研究

最近有研究报道InGaN材料的禁带宽度与太阳光谱几乎完美匹配，理论计算表明，基于InGaN材料的太阳能电池光电转换效率最高可达70%，有望揭开人类高效利用太阳能的新篇章。高铟组分InGaN/InGaN P-N结制备是研制全光谱InGaN新型高效太阳能电池的基础。本项目以研制第三代全光谱InGaN新型高效太阳能电池为背景，重点开展高铟组分InGaN和InGaN/InGaN P-N结材料制备和相关物理问题研究，揭示高铟组分InGaN材料的生长和掺杂机理，研究材料生长、材料掺杂和P-N结制备的关键科学技术问题，为InGaN新型高效太阳能电池的研制打下基础。这一工作的开展，不仅对研制第三代高效率InGaN太阳能电池意义重大，同时对于III族高铟组分氮化物半导体的发展和应用也具有重要的意义。