碳纳米管的生长机理、缺陷控制及缺陷效应

基本信息
批准号:59972017
项目类别:面上项目
资助金额:15.00
负责人:夏曰源
学科分类:
依托单位:山东大学
批准年份:1999
结题年份:2002
起止时间:2000-01-01 - 2002-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:慕宇光,王瑞金,赵明文,马玉臣,李素艳
关键词:
缺陷组装缺陷效应碳纳米管生长机理
结项摘要

Growth mechanism,defect formation and self-assembly growth process of single-walled carbon nanotubes (SWNTs) were studied systematically by using molecular dynamics simulations in conjunction with ab initio calculations. The effects of various defects on the mechanical strength and the electronic structures of SWNTs were investigated. The elastic and inelastic behavior of SWNTs and related hydrogen storage behavior were analysed. It was found that H2 molecules could be stored inside SWNTs and accumulated to very high density by using an unequilibrium injection of low energy hydrogen atoms and ions. It was proved that this method was promising for developing environmental clean energy sourses. The liquid-solid phase transition of the high density H2 molecules confined in the SWNTs was also studied. Furthermore, exohedral and endodhedral adsorption of nitrogen on the wall of SWNTs and formation of substitutional N-C nanotubes were studied as well

用朗日万分子动力学模拟方法研究碳纳米管的生长机理和缺陷形成和组装的统计规律。研究各种拓扑缺陷和配位缺陷对碳纳米管的电子结构的影响。从理论和实验两方面研究杂质和缺陷对碳纳米管机械性能的影响。这些研究能指导生长高质量碳纳米管新方法的探索,并能推进碳纳米管在纳米电子器件、高强度复合材料的实用化。

项目摘要

项目成果
{{index+1}}

{{i.achievement_title}}

{{i.achievement_title}}

DOI:{{i.doi}}
发表时间:{{i.publish_year}}

暂无此项成果

数据更新时间:2023-05-31

其他相关文献

1

基于一维TiO2纳米管阵列薄膜的β伏特效应研究

基于一维TiO2纳米管阵列薄膜的β伏特效应研究

DOI:10.7498/aps.67.20171903
发表时间:2018
2

特斯拉涡轮机运行性能研究综述

特斯拉涡轮机运行性能研究综述

DOI:10.16507/j.issn.1006-6055.2021.09.006
发表时间:2021
3

中国参与全球价值链的环境效应分析

中国参与全球价值链的环境效应分析

DOI:10.12062/cpre.20181019
发表时间:2019
4

钢筋混凝土带翼缘剪力墙破坏机理研究

钢筋混凝土带翼缘剪力墙破坏机理研究

DOI:10.15986/j.1006-7930.2017.06.014
发表时间:2017
5

感应不均匀介质的琼斯矩阵

感应不均匀介质的琼斯矩阵

DOI:10.11918/j.issn.0367-6234.201804052
发表时间:2019

夏曰源的其他基金

批准号:10374059
批准年份:2003
资助金额:30.00
项目类别:面上项目
批准号:10175038
批准年份:2001
资助金额:23.00
项目类别:面上项目
批准号:19675024
批准年份:1996
资助金额:8.00
项目类别:面上项目
批准号:10675075
批准年份:2006
资助金额:30.00
项目类别:面上项目
批准号:18870125
批准年份:1988
资助金额:3.00
项目类别:面上项目

相似国自然基金

1

氮掺杂螺旋碳纳米管的控制合成、缺陷控制及自旋、磁性调控研究

批准号:51072079
批准年份:2010
负责人:汤怒江
学科分类:E0209
资助金额:37.00
项目类别:面上项目
2

金属表面硅烯的形核生长机理与缺陷控制

批准号:51602155
批准年份:2016
负责人:李爽
学科分类:E0201
资助金额:21.00
项目类别:青年科学基金项目
3

GaN表面缺陷及诱导STO薄膜生长机理研究

批准号:50942025
批准年份:2009
负责人:杨春
学科分类:E0205
资助金额:9.00
项目类别:专项基金项目
4

共晶耦合生长层片结构稳定性及断层缺陷控制

批准号:51571165
批准年份:2015
负责人:王锦程
学科分类:E0102
资助金额:62.00
项目类别:面上项目