某些深能级掺杂半导体的光电导效应具有这样一些独特性质,一是光激发撤去后光电导能稳恒地维持下去,二是稳恒的光电导只局域在受过光照区域;三是局域的光电导可以通过提高温度来擦除。本课题研究了ZnSe;Ga 和ZnSe;Ge材料光电导的这种稳恒性,局域性和可擦性。这项研究揭示这类材料的这些特性以及在高密度信息存储等方面的实用前景。这项研究工作的主要成果有以下几项:(1)用分子束外延方法生长了高质量深能级掺杂(Ga,Ge)ZnSe材料。(2)证明了δ掺杂的Zn Se;Ga材料具有室温条件下的稳恒光电导效应。(3)证明这种光电导效应具有局域性和可擦除性。
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数据更新时间:2023-05-31
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