纳米碳化硅薄膜的发光特性研究

基本信息
批准号:69776008
项目类别:面上项目
资助金额:10.50
负责人:余明斌
学科分类:
依托单位:西安理工大学
批准年份:1997
结题年份:2000
起止时间:1998-01-01 - 2000-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:王燕,刘满仓,罗家俊,毛胜春
关键词:
发光纳米碳化硅
结项摘要

本项目利用碳化硅的宽禁带特征和纳米尺寸晶料的量子限制效应,用热丝及电子回旋共振化学气相淀积方法,以硅烷和甲烷作为反应气体,通过控制反应气体的流量化、反应室的压力等薄膜沉积参数。成功地淀积出了纳米碳化硅薄膜。用高分辩电子显微镜、X射线光电子谱仪、X射线衍射仪、喇曼衍射仪和红外吸收谱仪对薄膜结构分析得出:薄膜是由纳米尺寸的碳化硅晶粒镶嵌在无序的碳化硅网络中构成。薄膜在室温条件下能够发出较强的短波长可见光。研究结果表明:纳米尺寸碳化硅晶粒对光发射起着重要的作用。这个结果丰富了硅基半导体材料发光研究的内容。由于纳米碳化硅薄膜的光发射效率高,可望在大面积平面显示、光电集成等领域得到应用。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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