高Z元素的电子碰撞内壳电离截面绝对测量的方法学研究

本项目的研究目的是发展对高Z元素在内壳电离阈能附近的电子碰撞电离截面进行精确的绝对测量的实验方法研究和对中高Z元素的电子内壳电离截面作系统的测量。这个电子能区大约在5KeV-40KeV，是验证电子与原子碰撞理论的敏感能区，也是核聚变、元素表面分析感兴趣的能区。本项目特点是将我们在国际上首创的测量中低Z元素的电子内壳电离截面的厚衬底薄靶方法拓展到测量高Z元素的电子内壳电离截面。应用电子输运双群模型，精确计算电子在厚衬底薄靶中的电子输运过程，取得在靶区不同深度的电子能谱进而得到原子发射的X射线强度分布，用以修正由于高Z原子强烈弹性散射造成靶内电子实际径迹严重偏离直线所造成的误差。从而得到精确的高Z元素的电子内壳电离截面测量数据。为热核聚变堆研究工作的发展和检验原子碰撞理论和模型提供更广泛、更精确的测量数据。本项目的研究方法是创新的，亦将给出许多高Z元素电子内壳电离截面国际首次测量结果。