记忆障碍大鼠前额叶皮层多通道局部场电位的稀疏表示研究

局部场电位是局部区域大量神经元电活动的协同作用，在特定的行为或感知条件下，与神经元单位放电有着密不可分的联系。记忆障碍大鼠局部场电位的研究，对揭示大脑认知、记忆信息处理的神经机制，预防和治疗记忆障碍疾病具有重大的科学意义和临床应用价值。.本项目研究基于时频原子匹配追踪的多通道局部场电位信号的稀疏表示算法，并在此基础上，采用多通道微电极阵列记录技术，观察并记录正常大鼠和记忆障碍大鼠前额叶皮层多通道局部场电位，应用多通道时频原子匹配追踪的稀疏表示方法，对非平稳的局部场电位信号进行时频分析，研究正常大鼠和记忆障碍大鼠局部场电位的稀疏模式，探索前额叶皮层功能神经元电活动编码正常记忆信息以及记忆障碍发生的机制。

本项目提出基于信号绝对值最优原子选择标准的多通道匹配追踪时频分解算法，并在此基础上，采用多通道微电极阵列记录技术，观察并记录正常大鼠和记忆障碍大鼠前额叶皮层多通道局部场电位，应用多通道匹配追踪时频表示方法，对非平稳的局部场电位信号进行时频分析，研究正常大鼠和记忆障碍大鼠局部场电位的时-频-空模式，从时频分析的角度探索前额叶皮层功能神经元电活动编码正常记忆信息以及记忆障碍发生的机制。