高功率输入耦合器关键技术研究

基本信息
批准号:10675144
项目类别:面上项目
资助金额:40.00
负责人:潘卫民
学科分类:
依托单位:中国科学院高能物理研究所
批准年份:2006
结题年份:2009
起止时间:2007-01-01 - 2009-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:王光伟,李建国,孙毅,李中泉,张锦堂,马强,黄彤明
关键词:
射频超导高功率输入耦合器
结项摘要

高功率输入耦合器是高功率微波领域的关键部件,也是加速器高频系统中的关键设备,其技术综合性很强,涉及到的学科领域包括微波功率传输、低温学、机械工程学、真空学、材料科学等等。例如,其中涉及电子在强微波场中与陶瓷和金属相互作用的物理过程、陶瓷表面镀膜成份及厚度的精密控制等高技术工艺。因而一直是国际上本领域的研究热点之一。本项目旨在通过理论模拟和实验测试研究,弄清核心物理机制和关键工艺技术,深入研究二次电子倍增效应,给出其物理图像和模型,优化耦合器的结构设计和传输特性,同时模拟耦合器的热应力分布、机械强度,掌握高频窗的材料加工特性,设计耦合器的制造工艺。并采用国际合作方式,利用国外的高功率测试设备,积累实验测试数据,指导我们的技术研究及设计优化。希望通过该课题的研究,培养人才队伍,推动国内相关新技术的生长点和产业发展,提升国际竞争能力。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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