半导体超晶格的高能和低能离子原位研究

在串列加速器离子束分析管道上串接一靶室，在其中安装了低能离子溅射枪和高能离子背散射分析系统，以及靶室主真空机组和离子轮差分真空机组，建成了离子溅射剥层/背散射原位分析系统。适合于对厚样品、多层膜、深埋杂质分析，为薄膜研究提供了具有一定特色的组合分析手段。靶室本底真空度为4×10（-6）Pa。样品可转动，在不破坏靶室真空情况下，实现样品溅射剥层和RBS分析。Ar离子能量、束流、束斑位置均可调节，并可作光机扫描。利用这原位分析系统，已对Au/Si、Si/（GexSi1-x/Si）/Si、WSix/Sio2/Si、YBa2Cu3O7等样品进行了溅射/RBS分析，取得了实验结果，显示了这一组合分析方法对厚样品、深埋层分析的优越性。这一组合分析方法在国内尚属首次进行研究。