二氧化铪－硅界面和缺陷性质的第一原理研究

二氧化铪是目前最有希望替代二氧化硅作为栅介质的高介电常数氧化物，但是它体内缺陷和杂质以及它与硅的界面态所导致的俘获电荷问题严重影响了器件在实际应用中的电学性能，因此认识和理解清楚这些问题的物理本质,寻找可行的解决方案是目前高K栅介质材料研究中一个极为重要的课题。本课题拟采用第一原理方法研究二氧化铪中点缺陷和杂质的性质及其动力学行为，二氧化铪与硅形成的界面体系中的一些问题(例如界面生长模式、结构和化学键特征、界面缺陷和杂质性质等)，以期在原子和电子尺度上探讨和认识这些问题的物理原因，为制备高质量二氧化铪薄膜和优化二氧化铪栅介质的材料性能提供理论依据。