SiGe/金属界面物理特性及金属化研究

采用逐层淀积的方法，利用综合光电子谱仪分析了金属（Ti）与锗硅最初反应的条件和机理。并利用在锗硅上蒸镀金属。对比高真空和快速退火处理后薄膜反应的动力学机制。利用X射线光电子谱、俄歇电子能谱、X射线衍射等对表面进行研究，并用传输线模型和数字I-V系统进行了相关的电学测量。结果表明，650℃左右可形成Co锗硅三元化合物，而Ti则相对偏高约850℃。同时，Co中有Ge向表面的分凝现象。并随温度升高，退火后现象更显著，表明Co更易与Si结合，从而出现高温下Ge分凝而Ti则可形成稳定的三元化合物。其缺点是高温下极易氧化，是目前亟待解决的问题。本研究结果对进一步开展金属与锗硅界面反应机制和器件工艺的实际应用，提高器件的性能有参考价值。