研究合成可溶性的以聚二炔为主链的高迁移率发光聚合物。本研究希望通过结构设计,使这类聚合物的辐射跃迁几率增大,探索得到一种具有高迁移率的发光新材料;以羟基链长度不同的一系列可溶性C60的衍生物为FET器件结构的半导体有源层,制备FET器件来表征他们的场效应迁移率。以此为基础,遴选FET器件的参数,优化器件结构;基于以上两方面的研究,探索研制以FET结构注入的聚合物电发光器件。通过调节栅压来调控电子与
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数据更新时间:2023-05-31
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