采用坩埚上升法生长高质量CdZnTe单晶体研究

HgCdTe红外焦平面器件需要大面积高质量的碲锌镉（CdZnTe）晶片做衬底，以提高器件性能。目前国内外所广泛采用的布里奇曼法虽然制备出了尺寸较大、质量较好的晶体，但仍不能满足大规模红外焦平面的需要，因此，本项目提出了一种新的制备大尺寸、高质量的CdZnTe单晶体的生长方法- - 坩埚上升法。该生长方法既具有提拉方式的优点，又克服了坩锅下降法的缺点：无坩埚接触，利于熔体流线形成稳态分布，利用生长后的固体自然密封特性可有效控制熔体挥发，利于获得平的或微凸的固液界面并维持固液界面的稳定性。采用此方法易于获得高质量的CdZnTe单晶体。