高效砷化镓背场太阳电池研究

利用YWC-I型液相外延炉，用过冷法和平衡相结合的外延方法，用掺Si的（100）面的n-GaAs为衬底，通过改变恒温温度、恒温时间，降温速率，外延溶液的饱和度和杂质浓度等参数，获得了不同特性的GaAs层和ALxGa1-x层。研究了外延溶液中Al/Ga重量比率与AlxGa1-xAs层中X值的关系，摸索出了获得高X值，低晶格失配率的AlxGa1-xAs层的工艺条件。真空蒸镀AuGeNi合金，在氢气气氛中烧结，形成具有欧姆接触的背电极，并利用合金中的Ge取代Ga原子，形成强n型，产生背场效应。正电极用Zn-Ag合金掩模蒸镀在AlxGa1-xAs层上，最后在正面蒸发SiO减反射膜，获得光电转换效率为17%的太阳电池。为减少电池表面的遮光面积，研究了光刻技术等工艺。发表论文一篇，申报了一项专利。