陶瓷涂层热强度及化学稳定性的研究

首先改造我室自行研制的STM装置，采用新型扫描陶管、开发更高驱动电压的数控激励电源，使能在10μm×10μm宽范围内，在126位D/A转换器控制可得0.1nm分辨率扫描。采用微型电磁是在两羰与工作台基面吸附，中间用压电陶管进行伸缩变形构造微爬行机构，其微定位分辨率可达30nm，工作范围可在10mm×10mm上进行nm级的微定位。用上述装置对Si（100）表面进行nm级的离子束光刻加工试验。首先将Si（100）在10%HF溶液中浸泡约一分钟，然后在净化室条件下风干、表面可生成约100nm厚的硅氢化物的钝化膜、然后在4～10V偏压下用STM探针的硅表面扫描，相当于电了束曝光。之后在60℃温度下将样品放入1mlKOH溶液中腐蚀1S。清洗后可得到宽为25nm深60nm的光刻加工图案。