H和He离子联合注入单晶硅气泡生长及机理研究
基本信息
批准号：10675089
项目类别：面上项目
资助金额：26.00
负责人：刘昌龙
学科分类：
依托单位：天津大学
批准年份：2006
结题年份：2008
起止时间：2007-01-01 - 2008-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：顾洪恩,阮永丰,李文霞,王卓,尹立军,张晓东,张守超
关键词：
H等离子体辐照气泡形成和热生长He和H离子注入透射电子显微
结项摘要
采用H离子或高密度H等离子体与He离子一起联合注入到n型单晶Si样品中，一方面借助于透射电子显微镜详细地研究气泡形成和热生长与注入参数之间的定量依赖关系，以便综合分析出降低单晶Si中气泡形成剂量的最优化实验参数；另一方面使用可变能量的正电子湮灭谱仪、二次离子质谱仪等精密测试技术定量地分析注入产生的缺陷和引入的气体原子的分布及其热演变规律，得到Si中注入气泡与空位型缺陷和气体原子间相互作用的真实信息
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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