应用于新一代非易失性存储器的相变纳米线的纳米特性及其相变机理研究

基于相变材料的非易失性存储器技术因其具有非易失性、可重复写入、寿命长、稳定性好、制作工艺简单等优点，是未来电子工业最有前途的信息存储技术之一。其中由自主生长的一维纳米结构的相变材料（相变纳米线）因其具有的材料和结构特性，不仅为新一代高密度、低功耗、高效简单的纳米相变存储器提供了材料基础，而且为相变存储器研究中的一些关键问题（如纳米尺度下的电荷传输机理、时间漂移现象和相变机理等）的研究提供了一个方便和重要的研究平台。本项目通过合成具有低相变电流、高相变速度的新型相变纳米线（Ge2Sb2Te5和GeSb纳米线）并构筑纳米线器件，结合原位表征技术研究相变纳米线及其器件在纳米尺度下的相关特性，阐明相变纳米材料非晶相中的电荷传输性质、阈值转变机理、时间漂移现象、成核相变机理以及他们在纳米尺度下的尺寸效应，建立相变纳米线材料特性与其器件性能的关系。

基于相变材料的非易失性存储器技术因其具有非易失性、可重复写入、寿命长、稳定性好、制作工艺简单等优点，是未来电子工业最有前途的信息存储技术之一。其中由自主生长的一维纳米结构的相变材料（相变纳米线）因其具有的材料和结构特性，不仅为新一代高密度、低功耗、高效简单的纳米相变存储器提供了材料基础，而且为相变存储器研究中的一些关键问题（如纳米尺度下的电荷传输机理和相变机理等）的研究提供了一个方便和重要的研究平台。本项目通过合成具有低相变电流、高相变速度的新型相变纳米线（In2Se3和GeSb纳米线）并构筑纳米线器件，结合原位表征技术（同步辐射原位XRD技术、原位TEM技术）以及理论模拟计算，研究了相变纳米线及其器件在纳米尺度下的相关特性，阐明相变纳米材料的电荷传输性质、阈值转变机理、相变机理以及他们在纳米尺度下的尺寸效应，建立相变纳米线材料特性与其器件性能的关系。